[发明专利]平面相变存储器的制备方法

摘要

一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成基底；在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后淀积一层绝缘材料，再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作。

主权项

一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；步骤2：用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；步骤3：在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；步骤4：采用干法回刻，去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；步骤5：用湿法腐蚀的方法去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；步骤6：采用干法刻蚀的方法去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；步骤7：采用光刻或电子束光刻+薄膜淀积+剥离工艺在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；步骤8、再用湿法腐蚀的方法去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的nano‑gap电极；步骤9、最后淀积一层绝缘材料，再在nano‑gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作。