[发明专利]绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法有效
| 申请号： | 201010283558.7 | 申请日： | 2010-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101995609A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 周亮;李智勇;俞育德;余金中 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34;G02B6/124;G02B6/136 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件，该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 阶梯 波导 光栅 耦合器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件，该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。
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