[发明专利]底部填充材料组成物及光半导体装置有效
申请号: | 201010283718.8 | 申请日: | 2010-09-14 |
公开(公告)号: | CN102020852A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 田口雄亮;沢田纯一 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C08L83/06 | 分类号: | C08L83/06;C08L83/04;C08L83/07;C08K9/06;C08K3/36;C08K3/22;C08K5/548;H01L33/56 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本东京千代*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能形成在回焊时对翘曲行为无影响,耐热性、耐光性优异,且对金凸块的密接性为与先前的底部填充剂同等以上的硬化物的光半导体装置用底部填充材料组成物及光半导体装置。本发明的底部填充材料组成物包括下述成分:(A)特定的支链状有机聚硅氧烷、(B)无机填充剂、(C)缩合催化剂、(D)具有特定的直链状二有机聚硅氧烷残基的有机聚硅氧烷、(E)硅烷偶合剂。 | ||
搜索关键词: | 底部 填充 材料 组成 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种底部填充材料组成物,其特征在于包括:(A)由下述平均组成式(1)表示、且聚苯乙烯换算的重量平均分子量为500~20000的支链状有机聚硅氧烷,60重量份~99重量份,[化1](CH3)aSi(OR1)b(OH)cO(4-a-b-c)/2 (1)式(1)中,R1为碳数1~4的有机基,a、b、c为满足0.8≤a≤1.5、0≤b≤0.3、0.001≤c≤0.5、及0.801≤a+b+c<2的数;(B)无机填充剂,250重量份~1000重量份;(C)缩合催化剂,0.01重量份~10重量份;(D)具有由下述式(2)表示的直链状二有机聚硅氧烷残基的有机聚硅氧烷,1重量份~40重量份,其中(A)成分与(D)成分的合计为100重量份,[化2]
式(2)中,R2及R3相互独立为选自羟基、碳数1~3的烷基、环己基、乙烯基、苯基及烯丙基的基团,m为5~50的整数;以及(E)硅烷偶合剂,0.2重量份~2.0重量份。
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