[发明专利]垂直结构金属衬底准光子晶体HB-LED芯片及制造方法与应用有效
| 申请号： | 201010283834.X | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101969092A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 兰红波;丁玉成 | 申请（专利权）人： | 兰红波 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 250022 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直结构金属衬底准光子晶体HB-LED芯片及制造方法与应用。包括：一个金属衬底，在金属衬底之上设有外延片，所述外延片两侧设有钝化保护层；所述的外延片自下向上依次为：金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、电流阻挡层、具有准光子晶体结构的透明导电层和N型电极；所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。提高了出光效率、实现电流均匀分布，降低热阻，有效改善散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 金属 衬底 光子 晶体 hb led 芯片 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种垂直结构金属衬底准光子晶体HB‑LED芯片，其特征在于，包括：一个金属衬底，在金属衬底之上设有外延片，所述外延片两侧设有钝化保护层；所述的外延片自下向上依次为：金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、电流阻挡层、具有准光子晶体结构的透明导电层和N型电极；所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。
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