[发明专利]具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器

摘要

本发明公开一种具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一AlGaN吸收层，该吸收层生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，对电极部分进行电隔离；一底电极，该底电极生长在介电绝缘层及其开孔处；一热释电薄膜层，该热释电薄膜层生长在底电极上；一金属上电极，该金属上电极与下电极交叉成十字或丁字形状等，上下电极重合面积位于介电绝缘层开孔处，为热释电薄膜层功能区。本发明的器件结构利用AlGaN薄膜作为紫外吸收层，利用紫外光吸收-热传递-热释电响应的过程避免了高铝组分AlGaN欧姆接触制备的困难，实现了热释电器件的紫外响应，突破了热释电器件响应波段的限制。

主权项

一种具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器器件，其结构为在衬底(1)上依次生长紫外吸收层(2)、介电绝缘层(3)、底电极(4)、热释电薄膜层(5)和金属上电极(6)，其特征在于：所述的衬底(1)为蓝宝石、硅或氮化硅衬底；所述的紫外吸收层(2)为厚度不小于250nm的单层或多层AlGaN薄膜，其中Al组分从0变化到1。