[发明专利]一种提高涂胶产能的方法有效
申请号: | 201010284587.5 | 申请日: | 2010-09-17 |
公开(公告)号: | CN102024687A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 郑春海;郑右非;汪明波 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/16 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及集成电路制造硅片处理技术,具体来说是一种提高涂胶产能的方法,解决现有技术中对硅片喷涂的产能低等问题。首先将加工载体硅片置于承片台上;然后将涂胶胶嘴从与硅片一端对应的起始位置处开始涂胶,涂胶胶嘴喷涂感光胶同时,在一平面内做二维往复扫描运动,至与硅片另一端对应的结束位置处,使硅片表面均匀涂胶;本发明采用喷雾式涂胶胶嘴沿X、Y轴向曲折往复行走,减小涂胶胶嘴在硅片外围的扫描路径,提高涂胶产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 涂胶 产能 方法 | ||
【主权项】:
一种提高涂胶产能的方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步,将加工载体硅片置于承片台上;第二步,将涂胶胶嘴从与硅片一端对应的起始位置处开始涂胶,涂胶胶嘴喷涂感光胶同时,在一平面内做二维往复扫描运动,至与硅片另一端对应的结束位置处,使硅片表面均匀涂胶;在往复扫描运动过程中的移动拐点,通过以下公式(1)、(2)、(3)、(4)来确定: x 0 = x c - ( d f 2 + d w 2 ) - - - ( 1 ) xn=x0+xp×n (2) y S _ n = y c + ( - 1 ) n ( d f 2 + d w 2 ) 2 - ( x 0 + x p × n ) 2 - - - ( 3 ) y O _ n = y c + ( - 1 ) n + 1 ( d f 2 + d w 2 ) 2 - ( x 0 + x p × n ) 2 - - - ( 4 ) df是涂胶喷涂在硅片上形成的斑圈直径,dw是待喷涂硅片的直径,xc,yc是指硅片圆心在坐标系的坐标,x0是胶嘴初始位置时x轴坐标,xn是胶嘴在第n步时x轴坐标,xp是指步距,n是指胶嘴扫描过程中所处的任意一步;(xn,yS_n)是第n次沿y方向扫描时y方向的起始点坐标,(sn,yO_n)是第n次沿y方向扫描时y方向的终止点坐标。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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