[发明专利]一种提高涂胶产能的方法有效

专利信息
申请号: 201010284587.5 申请日: 2010-09-17
公开(公告)号: CN102024687A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 郑春海;郑右非;汪明波 申请(专利权)人: 沈阳芯源微电子设备有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F7/16
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 张志伟
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及集成电路制造硅片处理技术,具体来说是一种提高涂胶产能的方法,解决现有技术中对硅片喷涂的产能低等问题。首先将加工载体硅片置于承片台上;然后将涂胶胶嘴从与硅片一端对应的起始位置处开始涂胶,涂胶胶嘴喷涂感光胶同时,在一平面内做二维往复扫描运动,至与硅片另一端对应的结束位置处,使硅片表面均匀涂胶;本发明采用喷雾式涂胶胶嘴沿X、Y轴向曲折往复行走,减小涂胶胶嘴在硅片外围的扫描路径,提高涂胶产能。
搜索关键词: 一种 提高 涂胶 产能 方法
【主权项】:
一种提高涂胶产能的方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步,将加工载体硅片置于承片台上;第二步,将涂胶胶嘴从与硅片一端对应的起始位置处开始涂胶,涂胶胶嘴喷涂感光胶同时,在一平面内做二维往复扫描运动,至与硅片另一端对应的结束位置处,使硅片表面均匀涂胶;在往复扫描运动过程中的移动拐点,通过以下公式(1)、(2)、(3)、(4)来确定: x 0 = x c - ( d f 2 + d w 2 ) - - - ( 1 ) xn=x0+xp×n    (2) y S _ n = y c + ( - 1 ) n ( d f 2 + d w 2 ) 2 - ( x 0 + x p × n ) 2 - - - ( 3 ) y O _ n = y c + ( - 1 ) n + 1 ( d f 2 + d w 2 ) 2 - ( x 0 + x p × n ) 2 - - - ( 4 ) df是涂胶喷涂在硅片上形成的斑圈直径,dw是待喷涂硅片的直径,xc,yc是指硅片圆心在坐标系的坐标,x0是胶嘴初始位置时x轴坐标,xn是胶嘴在第n步时x轴坐标,xp是指步距,n是指胶嘴扫描过程中所处的任意一步;(xn,yS_n)是第n次沿y方向扫描时y方向的起始点坐标,(sn,yO_n)是第n次沿y方向扫描时y方向的终止点坐标。
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