[发明专利]一种两性荷电纳滤膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010284598.3 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101934204A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 曹绪芝;李本刚;陈杰 | 申请（专利权）人： | 南京林业大学 |
| 主分类号： | B01D71/78 | 分类号： | B01D71/78;B01D67/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210037 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种两性荷电纳滤膜及其制备方法。两性荷电纳滤膜是采用辐照分步接枝的方法首先在超滤膜表面接枝一种荷负电单体，然后再接枝一种荷正电单体制成的。所制备的纳滤膜对含高价阳离子或高价阴离子的盐溶液(如Na2SO4、MgCl2等)有很高的截留率和渗透通量。本发明具有实施容易、反应可控、膜的分离性能可在较大范围内调节等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 两性 电纳 滤膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种两性荷电纳滤膜及其制备方法，其特征在于包含以下步骤：1)将质量百分比浓度为0.5～20％的含有磺酸基或羧基的单体添加到待反应膜表面，辐照接枝1min～100min。2)将未反应单体取出，并用预先配制好的含叔胺基或铵基的烯类单体溶液置换掉膜表面残留的荷负电单体。3)在膜表面重新加入质量百分比浓度为10～60％的含叔胺基或铵基的烯类单体，继续辐照接枝60s～500s，即得到两性荷电纳滤膜。
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