[发明专利]基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列及其制备方法

摘要

一种微机电技术领域的一种基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列及其制备方法，其电极阵列包括：固定夹具以及固定于内的若干层脑电图干电极，该脑电图干电极包括：金属电极微针及电路层以及位于其两侧的第二金属种子层和第二聚酰亚胺层，金属电极微针表面包覆惰性金属层，第一聚酰亚胺层是脑电图干电极的柔性衬底。本发明工艺简单，成品率高；电极的位置可根据应用要求改变其排列；采用金属作为电极主体，机械强度高、阻抗小，柔性衬底图形化质量高，生物相容性好；采用电极的多层组装并使用夹具固定，制成电极的立体阵列，容易固定且屏蔽佳。

主权项

一种基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、在经过处理的基片表面涂覆黏附层，再在黏附层上溅射第一金属种子层；第二步、在第一金属种子层上涂覆正胶，再依次以光刻法和电铸法制得金属牺牲层后，依次去除光刻胶和第一金属种子层至露出黏附层；第三步、在金属牺牲层和露出的黏附层上涂覆聚酰亚胺酸，经热固化处理制成衬底第一聚酰亚胺层，再通过抛光机打磨第一聚酰亚胺层至露出金属牺牲层；第四步、在第一聚酰亚胺层上溅射第二金属种子层，然后在第二金属种子层上涂覆正胶，通过光刻法和电铸法制备得到金属电极微针及电路层后，依次去除光刻胶和第二金属种子层至露出第一聚酰亚胺层和金属牺牲层；第五步、在金属电极微针及电路层、露出的第一聚酰亚胺层和金属牺牲层上涂覆聚酰亚胺酸，经前烘处理后，涂覆正胶，通过光刻法与显影液刻蚀聚酰亚胺酸对其进行图形化，去除全部光刻胶，热固化处理制成第二聚酰亚胺层；第六步、去除金属牺牲层，以及金属牺牲层下的第一金属种子层，实现第一聚酰亚胺层的图形化以及电极微针悬臂梁结构的释放；第七步、通过电镀法将电极微针表面镀上惰性金属保护层，然后将片子置于无水乙醇中使聚二甲基硅氧烷黏附层溶胀，表面失去活性，将器件从基片上剥离，制得基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极；第八步、将释放后的脑电图干电极经过多层组装至夹具后两端采用螺丝固定，制得基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列。