[发明专利]一种基于多孔阳极氧化铝模板的硫化钴纳米管或纳米线的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010285346.2 申请日: 2010-09-14
公开(公告)号: CN101948144A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 陶峰;王志俊 申请(专利权)人: 安徽工程大学
主分类号: C01G51/00 分类号: C01G51/00
代理公司: 合肥天明专利事务所 34115 代理人: 奚华保
地址: 24100*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种基于多孔阳极氧化铝模板的硫化钴纳米管或纳米线的制备方法,包括:制作多孔氧化铝模板;在氧化铝模板孔洞中填充氯化钴和硫脲溶液;采用分步升温制备硫化钴纳米管或纳米线;将其孔中置有纳米线或纳米管的氧化铝模板置于强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板,制得尺寸可控的硫化钴纳米管或纳米线。本发明的硫化钴纳米管、纳米线的原料低廉、操作简单、合成时间短、温度较低。硫化钴纳米管、纳米线的尺寸可有模板孔洞尺寸控制可调。硫化钴纳米管的孔洞外径为60-150nm,内径为20-80nm。纳米线的直径约为60-150nm。本发明是一种比较经济的制备硫化钴纳米管、纳米线及其阵列的方法。
搜索关键词: 一种 基于 多孔 阳极 氧化铝 模板 硫化 纳米 制备 方法
【主权项】:
一种基于多孔阳极氧化铝模板的硫化钴纳米管或纳米线的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:1)、使用二次阳极氧化法获得通孔氧化铝模板,或采用成品通孔氧化铝模板;2)、将所述氧化铝模板置于含有无水氯化钴和硫脲的混合溶液中,使所述混合溶液填充进氧化铝模板孔洞中;采用分步升温法先将反应温度设定为60‑80℃,待出现沉淀,并伴有气体生成后,再将温度升高到90‑100℃,并在此温度下反应20‑60分钟,使所述氧化铝模板孔中置有纳米线或纳米管,然后用水清洗、干燥;3)、将上述步骤2中的置有纳米线或纳米管的氧化铝模板置于强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板,制得硫化钴纳米管或纳米线。
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