[发明专利]一种铪基氧化物高k栅介质层及其能带调控方法无效
| 申请号： | 201010285394.1 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102403342A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 屠海令;杜军;熊玉华 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/283;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种铪基氧化物高k栅介质层及其能带调控方法，该栅介质层包含HfO2和Gd2O3，原子比Gd/(Gd+Hf)为0～30％，且≠0。其能带调控方法为：将清洗干净的石英片衬底和单晶Si片衬底分别放入射频磁控共溅镀膜系统，在氩气和氧气的混合气氛下向衬底上共溅射Gd2O3和HfO2，HfO2的溅射功率为50～120W，Gd2O3的溅射功率为0～90W，且该溅射功率≠0，溅射气压为0.5～3Pa，在石英片上的溅射时间为1～1.5h，栅介质层厚度为100～140nm；在Si片上的溅射时间为3～20分钟；栅介质层厚度为3～25nm。Gd2O3对HfO2具有能带调控作用，有利于降低铪基氧化物栅介质层的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 介质 及其 能带 调控 方法 | ||
【主权项】：
一种铪基氧化物高k栅介质层，其特征在于，包含HfO2和Gd2O3，其中Gd2O3的掺入量以原子比Gd/(Gd+Hf)计算为0～30％，其中Gd/(Gd+Hf)≠0。
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