[发明专利]纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法无效
| 申请号： | 201010285795.7 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102002673A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 高斐;郝培风;刘立慧 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C23C14/58;C23C14/18 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 申忠才 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法，由清洗石英玻璃衬底、真空蒸镀铝膜、退火步骤组成。采用了成本比较低的金属铝作为热蒸发材料，所制备的纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的电阻率、塞贝克(Seebeck)系数达到或优于现有的热电薄膜材料的性能，本发明与现有热电材料及其制备方法相比，具有制备方法简单、温度较低、生产成本低，对环境不造成污染，可在制备纳米晶硅-氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的生产中推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 氧化铝 氧化 热电 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米晶硅‑氧化铝/氧化硅热电薄膜材料的制备方法，其特征在于由下述步骤组成：(1)清洗石英玻璃衬底将1mm厚的石英玻璃衬底放置于双氧水与质量百分数为30％的氨水、去离子水按体积比为1∶1∶5混合的清洗液A中，用功率为30W的超声波发生器、频率为30kHz的超声波60℃清洗10分钟，用去离子水冲洗干净；再放置于双氧水与质量百分数为30％盐酸、去离子水按体积比为1∶1∶5混合的清洗液B中，用功率为30W的超声波发生器、频率为30kHz的超声波中60℃清洗10分钟，用去离子水冲洗干净，清洗后的石英玻璃衬底用氮气吹干；(2)真空蒸镀铝膜将清洗后的石英玻璃衬底和放有纯度为99.999％铝棒的钨舟放入真空镀膜机的真空室内，抽真空至真空室的背景真空度为2×10‑4Pa，给钨舟通120～140A电流蒸发铝，在石英玻璃衬底上蒸镀一层200～800nm厚的铝膜；(3)退火将蒸镀铝膜的石英玻璃衬底在空气中400～700℃退火30～120分钟，制备成纳米晶硅‑氧化铝/氧化硅热电薄膜材料。
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