[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法无效
| 申请号： | 201010285808.0 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102403258A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋阳波;陈正敏;聂广宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种浅沟槽隔离结构的制作方法，在对所述浅沟槽隔离结构的绝缘层施行化学机械抛光过程之后和在去除氮化物层和氧化物层过程之前，增加高温氧化处理过程，即向所述沟槽所在的环境通入氧化气体，并在800～1100℃的环境下进行高温氧化。本发明的制作方法增加了所述沟槽两侧顶角处隧道氧化层的厚度，防止所述沟槽两侧顶角发生尖端放电，减小了漏电电流，从而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有氧化物层和氮化物层；依次刻蚀所述氮化物层、氧化物层和半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽的内壁表面形成隧道氧化层；向所述沟槽内以及氮化物层上沉积绝缘层，所述绝缘层填满所述沟槽；对所述绝缘层施行化学机械抛光，以暴露出所述氮化物层；进行高温氧化处理过程，向所述沟槽所在的环境通入氧化气体，以增加所述沟槽两侧顶角处隧道氧化层的厚度；依次去除氮化物层和氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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