[发明专利]具有锗硅外延层的PMOS晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有锗硅外延层的PMOS晶体管的制备方法，该方法采用虚拟侧壁作为硅衬底刻蚀的掩膜，并且在刻蚀完成后，所述虚拟侧壁并未去除，继续作为源漏区扩展掺杂的掩膜，从而不需形成偏移侧壁，因而不会消耗掉锗硅膜，从而有利于保持源漏区域锗硅层与硅衬底之间的压应力，并进一步提高空穴迁移率，并且简化了工艺流程。

主权项

一种具有锗硅外延层的PMOS晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底上形成N阱及浅沟槽隔离结构；在所述N阱上形成多晶硅栅极导电结构；在所述多晶硅栅极导电结构的顶部及侧面上形成虚拟侧壁；以所述虚拟侧壁为掩膜，对所述硅衬底进行刻蚀，以形成凹陷区域；在所述凹陷区域外延生长锗硅；以所述虚拟侧壁为掩膜，进行源漏区扩展掺杂，调节沟道长度；去除所述虚拟侧壁；在所述多晶硅栅极导电结构的侧面形成栅极侧墙；以所述栅极侧墙为掩膜，进行源漏区重掺杂离子注入，形成源区与漏区；进行高峰快速热退火处理；在所述多晶硅栅极导电结构、源区及漏区上制备金属硅化物；在所述栅极侧墙上沉积应力薄膜，对所述多晶硅栅极导电结构进行应力应变；以及金属化处理。