[发明专利]一种用于MEMS结构制备的金属湿法刻蚀装置及刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201010286212.2 | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102011125A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 蒋亚东;吴志明;王涛;黎威志;韩小林 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08;C23F1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可用于在大尺寸硅片上制备MEMS结构的金属薄膜湿法刻蚀装置及工艺，其主要内容是：将图形化的硅片置于特殊设计的夹具上，在腐蚀过程中，硅片浸没于刻蚀液内，夹具在电机带动下缓慢匀速旋转；同时采用高纯氮气轻微搅拌刻蚀液。观察和监测硅片表面的变化直到完全去除需要去除的相应膜层。采用该装置和工艺可以在大尺寸硅片上获得过刻较小，且均匀性良好的刻蚀图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 mems 结构 制备 金属 湿法 刻蚀 装置 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于MEMS结构制备的金属湿法刻蚀装置，其特征在于，设置在支撑装置(120)上的电机连接电机转速控制器和小型直流变速机(20)，所述小型直流变速机(20)通过连接杆(30)悬挂硅片夹具，所述硅片夹具(40)的对应下方设置有通过容器支撑架(130)支撑的腐蚀液容器(50)，所述腐蚀液容器(50)的底部设置有均匀分布的进气口，高纯氮气从该进气口通入，控制高纯氮气的气压实现盛放在腐蚀液容器(50)中的刻蚀剂的轻微搅动，所述硅片夹具(40)的下端放有待刻蚀金属膜层硅片(80)，所述小型直流变速机(20)在电机转速控制器(10)的传动下带动硅片夹具(30)匀速缓慢旋转，使浸入刻蚀液的待刻蚀金属膜层硅片(80)完成刻蚀。
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