[发明专利]三维扇出晶圆级半导体封装件及其制造方法

摘要

在一实施例中，形成半导体封装件的方法包括：(1)提供一载具及一具有一主动表面的半导体组件；(2)形成一第一重新分布结构，包含一在第一结构中侧向延伸的第一电性互连件及数个自第一电性互连件的第一表面垂直延伸的第二电性互连件，每个第二互连件包括一邻接于第一表面的下表面及一相对于下表面的上表面；(3)设置组件于载具上，使得主动表面邻接于载具；(4)设置第一结构于载具上，使得每一个第二互连件的上表面邻接于载具，且第二互连件环绕于组件的周围；以及(5)形成一第二重新分布结构，以邻接至主动表面，第二重新分布结构包括一第三电性互连件，第三电性互连件于第二结构中侧向延伸。

主权项

一种形成半导体封装件的方法，包括：提供一载具；提供一半导体组件，包括一主动表面、一侧向表面以及一相对于该主动表面的上表面；形成一第一重新分布结构，该第一重新分布结构包括一第一电性互连件及数个第二电性互连件，该第一电性互连件于该第一重新分布结构中侧向延伸，该些第二电性互连件自该第一电性互连件的一第一表面垂直延伸，各该第二电性互连件包括一邻接于该第一表面的下表面、一侧向表面以及一相对于该下表面的上表面；设置该半导体组件于该载具上，使得该主动表面邻接于该载具；设置该第一重新分布结构于该载具上，使得各该第二电性互连件的该上表面邻接于该载具，且该些第二电性互连件环绕该半导体组件；以及形成一第二重新分布结构，该第二重新分布结构邻接于该半导体组件的该主动表面，该第二重新分布结构包括一第三电性互连件，该第三电性互连件于该第二重新分布结构中侧向延伸。