[发明专利]Coo1MOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010286554.4 | 申请日： | 2010-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102403354A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赵志勇;王乐;桂林春;祝孔维 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种CoolMOS器件及其制造方法，该器件包括：基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层，所述本体层包括漏区；位于所述外延层内的第一区和第二区；位于所述第一区和第二区之间的外延层中的沟槽，所述沟槽底部延伸至所述本体层内，所述沟槽内填充有栅氧化层和栅区；位于所述沟槽两侧的第一体区和第二体区；位于所述第一体区内的第一源区，所述第二体区内的第二源区，所述第一源区和第二源区与第一体区和第二体区的掺杂离子导电类型相反。本发明实施例通过在第一区和第二区之间的外延层中形成沟槽，在沟槽内形成栅氧化层和栅区，使得导电沟道与管芯表面垂直，从而减小管芯面积，提高了基底表面的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | coo1mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CoolMOS器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层，所述本体层包括漏区；位于所述外延层内的第一区和第二区，所述第一区和第二区的掺杂状态相同，所述第一区和第二区与外延层的掺杂离子导电类型相反；位于所述第一区和第二区之间的外延层中的沟槽，所述沟槽底部延伸至所述本体层内，所述沟槽内填充有栅氧化层和栅区；位于所述沟槽两侧的第一体区和第二体区，所述第一体区和第二体区的掺杂状态相同；位于所述第一体区内的第一源区，所述第二体区内的第二源区，所述第一源区和第二源区的掺杂状态相同，所述第一源区和第二源区与第一体区和第二体区的掺杂离子导电类型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010286554.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：青藏高原野生大麦HsCIPK26基因
- 下一篇：汽车前轮定位参数稳健设计方法
- 同类专利
- 专利分类
