[发明专利]一种物理除硼制备多晶硅的方法无效
申请号: | 201010286555.9 | 申请日: | 2010-09-19 |
公开(公告)号: | CN101955186A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 苏文华;李胜路 | 申请(专利权)人: | 江西盛丰新能源科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 331100 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种硅中硼元素的去除方法,包括以下步骤:(1)选用优质硅,一般以2202品质硅为准(2)称取一定量的硅加入到精炼炉中,精炼(3)将精炼炉送电加热到使硅全融化状态(4)按照碱性造渣剂与硅总重比为1∶1~1∶5的比例配置称量好碱性造渣剂;(5)将配置称重好的碱性造渣剂平分10等份,分10次加入到精炼炉中,每次熔炼一小时再滤去表面渣液,反复加剂熔炼滤渣10次;(6)准备好带有微孔过滤装置的定向浇铸容器,将硅液通过微孔过滤装置浇注到定向容器中进行定向冷却,检测硼的含量小于0.4PPm,制得低硼高纯度硅。本发明工艺简单、操作简便、能耗低、无污染排放。 | ||
搜索关键词: | 一种 物理 制备 多晶 方法 | ||
【主权项】:
一种硅中硼元素的去除方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、选用优质硅,一般以2202品质硅为准,且硼元素含量小于或等于4PPm;(2)、称取一定量的硅加入到精炼炉中,硅量的要求可根据其设计的精炼炉容量而定;(3)、将精炼炉送电加热到使硅全融化状态,测液体硅温度为1450℃;(4)、按照碱性造渣剂与硅总重比为1∶1~1∶5的比例配置称量好碱性造渣剂;(5)、将配置称重好的碱性造渣剂平分10等份,分10次加入到精炼炉中,每次熔炼一小时再滤去渣液,反复加剂熔炼滤渣10次;(6)、准备好带有微孔过滤装置的定向浇铸容器,将硅液通过微孔过滤装置浇注到定向容器中进行定向冷却,检测硼的含量小于0.4PPm,制得低硼高纯度硅。
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