[发明专利]小能量多次冲击技术制备块体纳米材料的方法无效

专利信息
申请号: 201010286615.7 申请日: 2010-09-19
公开(公告)号: CN101948948A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 肖林;陈威;孙巧艳;孙军 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C21D7/02 分类号: C21D7/02;C22F1/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了应用小能量多次冲击技术制备块体纳米材料的新方法,该方法利用落锤式冲击试验机对块体试样进行小能量多次冲击加载,随着试样变形量的增加,试样微观组织逐渐细化。当变形量达到一定值后可得到块体纳米晶材料。利用该方法可以广泛用于制备纯金属和合金纳米晶块体材料。并且具有制造成本低、操作简单、制备的块体纳米材料尺寸较大等优点。
搜索关键词: 能量 多次 冲击 技术 制备 块体 纳米 材料 方法
【主权项】:
1.小能量多次冲击技术制备块体纳米材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)获得待加工的纯金属或合金块体试样,试样的外形为圆柱形、圆饼形或者长方体形;(2)将待加工的纯金属或合金块体试样放置于落锤式冲击试验机的砧座上,将落锤起吊至指定高度后突然释放以冲击试样,以5~30次/min冲击频率重复上述冲击过程,直到试样达到指定的变形应变量ε,其中,ε为变形应变量,h0为试样变形前厚度,h为试样变形后厚度。
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