[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供半导体器件以及制造半导体器件的方法。一种半导体器件含有具有腔体的PCB，其中该腔体形成在所述PCB的第一表面中。诸如密封剂或者虚设小片的应力补偿结构被沉积在所述腔体中。绝缘层形成在所述PCB和应力补偿结构上。所述绝缘层的一部分被去除以暴露所述应力补偿结构。导电层形成在所述应力补偿结构上。焊接掩膜层形成在所述导电层上具有朝所述导电层的开口。半导体封装被安装在所述腔体上。所述半导体封装是大阵列WLCSP。凸块电连接所述半导体封装与导电层。所述半导体封装电连接到所述导电层。所述应力补偿结构的CTE被选择为与所述半导体封装的CTE大体上相似或者匹配以减小所述半导体封装与PCB之间的应力。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底的第一表面中形成腔体；在所述腔体中沉积密封剂；在所述衬底和密封剂上形成绝缘层；去除所述绝缘层的一部分以暴露所述密封剂；在所述密封剂上形成第一导电层；以及将半导体封装安装在所述腔体上，所述半导体封装电连接到所述第一导电层，其中所述密封剂具有被选择为与所述半导体封装的热膨胀系数(CTE)相似的CTE以减小所述半导体封装与衬底之间的应力。