[发明专利]dB线性过程无关可变增益放大器有效

专利信息
申请号: 201010286722.X 申请日: 2010-09-20
公开(公告)号: CN102025334A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: M·乔纳斯 申请(专利权)人: 玛克西姆综合产品公司
主分类号: H03G3/20 分类号: H03G3/20;H03F3/45
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 杜娟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了dB线性过程无关可变增益放大器。本发明提供了具有在保持较大动态范围、较小三阶失真和低噪声的同时,在db/伏特下呈现高度线性增益控制曲线的连续可变模拟控制的放大器。这种放大器具有在宽范围上保持可变线性或对数线性曲线的控制机制,并且固有地对过程变化不敏感,从而为放大大动态范围信号提供更精确的增益控制和更高的信号保真度。
搜索关键词: db 线性 过程 无关 可变 增益 放大器
【主权项】:
一种栅极电压控制电路,包含:具有栅极、源极和漏极的第一MOSFET;反馈回路,包含:反馈晶体管;串联在所述反馈晶体管的发射极与所述第一MOSFET的漏极之间的第一电阻;配置成在所述反馈晶体管的集电极处提供线性电流的反馈元件,所述反馈元件与所述反馈晶体管的集电极连接;以及接收源自所述反馈电阻与所述反馈晶体管的集电极之间的节点的反馈电压的运算放大器,所述运算放大器提供用作栅极控制电压的输出,在所述第一MOSFET的栅极处接收到所述栅极控制电压,所述栅极控制电压调整所述第一MOSFET和所述第一电阻的组合的跨导;以及具有栅极、源极和漏极的第二MOSFET,所述第二MOSFET与所述第一MOSFET匹配,所述第二MOSFET的栅极被连接成接收所述栅极控制电压。
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