[发明专利]包含侧缘形状和织构的半导体晶片无效
| 申请号： | 201010286789.3 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102024685A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·D.·格林哈根;罗希特·迪克西特 | 申请（专利权）人： | 仙童半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人： | 王昭林;崔华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了用于将半导体晶圆单一化成多个含侧缘或侧壁的个体晶片的方法以及通过这些方法形成的半导体晶片。晶圆由下面的方法形成，该方法使用前至后光刻对准工艺以形成光刻胶掩模，并且通过该光刻胶掩模对晶圆的背面用HNA和/或TMAH溶液各向异性湿式蚀刻以形成倾斜的侧壁和/或织构。该TMAH蚀刻工艺的条件能够被控制以形成任何想要的粗糙或光滑侧壁的组合。因此，所形成的晶片的Si正面的面积比背面和不垂直于晶片的正或背表面的侧面或侧缘的面积大。也描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 形状 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
一种包含集成电路的半导体晶片，所述晶片包括：半导体材料上表面；半导体下表面，所述下表面的面积比所述上表面的面积小约1到75％；以及位于所述上表面和下表面之间的侧壁，所述侧壁不垂直于所述上表面或下表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
