[发明专利]太阳电池的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010287108.5 申请日: 2010-09-15
公开(公告)号: CN102024876A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 傳田敦;斋藤广美 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供可削减划线处理的可靠性高的太阳电池的制造方法。上述太阳电池具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层,上述太阳电池的制造方法包括:第1电极层形成工序,在上述基板上形成上述第1电极层;和第1电极层分割工序,去除上述第1电极层的一部分,将上述第1电极层分割,在上述第1电极层形成工序前具有第1牺牲层形成工序,上述第1牺牲层形成工序中在与要去除上述第1电极层的一部分的部分对应的上述基板的表面部分形成第1牺牲层,上述第1电极层形成工序中,在上述基板上及上述第1牺牲层上形成上述第1电极层,上述第1电极层分割工序中,去除上述第1牺牲层以及在上述第1牺牲层上形成的上述第1电极层。
搜索关键词: 太阳电池 制造 方法
【主权项】:
一种太阳电池的制造方法,上述太阳电池具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层,该制造方法的特征在于,包括:在上述基板上形成上述第1电极层的第1电极层形成工序;和去除上述第1电极层的一部分,将上述第1电极层分割的第1电极层分割工序,在上述第1电极层形成工序之前具有第1牺牲层形成工序,上述第1牺牲层形成工序中,在与要去除上述第1电极层的一部分的部分对应的上述基板的表面部分形成第1牺牲层,在上述第1电极层形成工序中,在上述基板上及上述第1牺牲层上形成上述第1电极层,在上述第1电极层分割工序中,去除上述第1牺牲层以及形成于上述第1牺牲层上的上述第1电极层。
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