[发明专利]基于表面等离子体效应的全有机一维光子晶体及制备方法无效

专利信息
申请号: 201010287335.8 申请日: 2010-09-20
公开(公告)号: CN102031566A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 姚凤凤;裴延波;孙秀冬;姜永远 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B29/58 分类号: C30B29/58;G02B1/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 基于表面等离子体效应的全有机一维光子晶体及制备方法,属于光子晶体技术领域,本发明提供了一种由有机聚合物薄膜和均匀分散纳米颗粒的有机聚合物薄膜交替叠加形成的一种全有机一维光子晶体,这种多层膜结构表现出优异的带隙特性,即透过率为0.0%时对应的谱带宽度可达80nm,且可以通过调节膜层厚度来控制带隙中心波长位置(中心波长可以实现在可见光到近红外这一范围调谐),以适合不同的应用需求。相对于目前通过真空镀膜制备的无机光子晶体,制备工艺要大大简化,材料和制备成本大大降低,并且将材料做成溶胶的方法制成膜能够制备大面积的器件。
搜索关键词: 基于 表面 等离子体 效应 有机 光子 晶体 制备 方法
【主权项】:
一种基于表面等离子体效应的全有机一维光子晶体,其特征是:全有机一维光子晶体的结构是,利用旋涂法在基底上制备纳米颗粒分散聚合物薄膜,然后在纳米颗粒分散聚合物薄膜上制备纯聚合物薄膜;每两层薄膜作为一对薄膜组合,组合成n对薄膜即为一维光子晶体,n的最小值大于10。
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