[发明专利]包括垂直晶体管阵列的电阻性存储器器件和相关制造方法

摘要

本发明提供一种包括垂直晶体管阵列的电阻性存储器器件和相关制造方法。该电阻性存储器器件的存储器包括垂直晶体管和可变电阻层。所述垂直晶体管包括衬底表面上的栅电极、沿着所述栅电极的侧壁延伸的栅绝缘层以及与所述栅绝缘层相邻的在所述衬底表面上的单晶硅层。所述单晶硅层的至少一部分限定在与所述衬底表面基本上垂直的方向上延伸的沟道区。在所述单晶硅层上设置可变电阻层。所述可变电阻层与所述栅电极电绝缘。本发明还讨论了相关的器件和制造方法。

主权项

一种包括存储器单元的电阻性存储器器件，所述存储器单元包括：垂直晶体管，所述垂直晶体管包括在衬底表面上的栅电极、沿着所述栅电极的侧壁延伸的栅绝缘层以及与所述栅绝缘层相邻的在所述衬底表面上的单晶硅层，所述单晶硅层的至少一部分限定在与所述衬底表面基本垂直的方向上延伸的沟道区；以及可变电阻层，所述可变电阻层在所述单晶硅层上并且与所述栅电极电绝缘。