[发明专利]硅通孔晶片的抛光方法和用于该方法的抛光组合物有效
| 申请号： | 201010287641.1 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102403212A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李康华;刘文政 | 申请（专利权）人： | 长兴开发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及硅通孔晶片的抛光方法和用于该方法的抛光组合物。所述方法包括：使用包含有机碱性化合物、选自亚氯酸钠和/或溴酸钾的氧化剂、多个二氧化硅研磨颗粒和溶剂的抛光组合物对硅通孔晶片的表面进行抛光处理，以使硅通孔晶片上的硅和导电材料各自以一移除速率被移除。通过本发明的方法，可使得硅通孔晶片上的硅和导电材料分别以较高的抛光速率被抛光，从而大幅减少抛光硅通孔晶片所需的工时成本。本发明还涉及上述方法所使用的抛光组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 晶片 抛光 方法 用于 组合 | ||
【主权项】：
硅通孔晶片的抛光方法，包括：使用包含有机碱性化合物、选自亚氯酸钠和/或溴酸钾的氧化剂、多个二氧化硅研磨颗粒和溶剂的抛光组合物对所述硅通孔晶片的表面进行抛光处理，以使所述硅通孔晶片上的硅和导电材料各自以一移除速率被移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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