[发明专利]用于晶圆表面颗粒去除的方法无效
| 申请号： | 201010288080.7 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102403199A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王志高;简志宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆表面颗粒去除的方法。所述方法将在暗盒中的晶圆通过晶圆表面颗粒去除模块的处理，该处理过程在所述晶圆等待晶圆传送盒内其它晶圆处理时进行。一片晶圆传入所述晶圆表面颗粒去除模块的下部晶圆承载装置，在晶圆表面的上方设置上部电荷分布装置，由所述晶圆表面颗粒去除模块中的电荷发生和控制装置在所述晶圆表面颗粒去除模块中的上部电荷分布装置释放电荷，利用静电的吸附功能将晶圆表面颗粒吸附到上部电荷分布装置，将所述晶圆传出晶圆表面颗粒去除模块，传到晶圆传送盒内。释放所述晶圆表面颗粒去除模块中吸附的表面颗粒。本发明全部增加的生产时间仅是一个晶圆传送盒中最后一片晶圆通过晶圆表面颗粒去除模块的时间，对表面颗粒的吸附率高，有利于提高良品率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 表面 颗粒 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种用于晶圆表面颗粒去除的方法，所述方法包括下列步骤：a)将晶圆传入晶圆表面颗粒去除模块中；b)由所述晶圆表面颗粒去除模块中的电荷发生和控制装置释放电荷；c)将所述晶圆传出所述晶圆表面颗粒去除模块；d)释放所述晶圆表面颗粒去除模块中吸附的表面颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
