[发明专利]一种制作相变存储器元件的方法

摘要

一种制作相变存储器元件的方法，包括：提供前端器件结构，前端器件结构包括底部电极；在前端器件结构上依次形成牺牲层、无机材料层、有机抗反射层、光刻胶图案；对光刻胶图案和有机抗反射层进行刻蚀，以缩小光刻胶图案和有机抗反射层的线宽；以剩余的光刻胶图案和有机抗反射层为掩膜对无机材料层和牺牲层进行刻蚀；去除剩余的光刻胶图案、有机抗反射层和无机材料层；在前端器件结构表面未被剩余的牺牲层覆盖的区域形成绝缘层；去除剩余的牺牲层，以形成开口；在绝缘层上形成第二介电层和相变层，相变层位于底部电极的正上方，并填充开口；在第二介电层和相变层上形成第三介电层和顶部电极，顶部电极位于相变层上对准底部电极的位置。

主权项

一种制作相变存储器元件的方法，包括：a)提供前端器件结构，所述前端器件结构包括底部电极，所述底部电极暴露在所述前端器件结构的表面；b)在所述前端器件结构上依次形成牺牲层、无机材料层、有机抗反射层、光刻胶图案，其中，所述光刻胶图案位于所述底部电极的正上方；c)对所述光刻胶图案和所述有机抗反射层进行刻蚀，以缩小所述光刻胶图案和所述有机抗反射层的线宽；d)以剩余的所述光刻胶图案和所述有机抗反射层为掩膜对所述无机材料层和所述牺牲层进行刻蚀；e)去除剩余的所述光刻胶图案、所述有机抗反射层和所述无机材料层；f)在所述前端器件结构表面未被剩余的所述牺牲层覆盖的区域形成绝缘层；g)去除剩余的所述牺牲层，以形成开口；h)在所述绝缘层上形成第二介电层和相变层，其中，所述第二介电层包围所述相变层的四周，所述相变层位于所述底部电极的正上方，并填充所述开口；以及i)在所述第二介电层和所述相变层上形成第三介电层和顶部电极，其中，所述第三介电层包围所述顶部电极的四周，所述顶部电极位于所述相变层上对准所述底部电极的位置。