[发明专利]一种制作相变存储器元件的方法

摘要

一种制作相变存储器元件的方法，包括：提供前端器件结构，前端器件结构包括第一介电层和底部电极；回蚀去除底部电极的上部，在前端器件结构的表面处形成第一开口；在第一开口内形成填充插塞；回蚀去除第一介电层的上部，使填充插塞的上表面高于剩余的第一介电层的上表面；各向同性刻蚀填充插塞，以缩小填充插塞的线宽；在前端器件结构的表面上未被刻蚀后的填充插塞覆盖的区域形成绝缘层，绝缘层的上表面低于刻蚀后的填充插塞的上表面，或者与刻蚀后的填充插塞的上表面齐平；去除刻蚀后的填充插塞，以形成第二开口；在绝缘层上形成第二介电层和相变层；在第二介电层和相变层上形成第三介电层和顶部电极。

主权项

一种制作相变存储器元件的方法，包括：a)提供前端器件结构，所述前端器件结构包括第一介电层和底部电极，其中，所述第一介电层包围所述底部电极的四周，且所述底部电极暴露在所述前端器件结构的表面；b)回蚀去除所述底部电极的上部，在所述前端器件结构的表面处形成第一开口；c)在所述第一开口内形成填充插塞；d)回蚀去除所述第一介电层的上部，使所述填充插塞的上表面高于剩余的第一介电层的上表面；e)各向同性刻蚀所述填充插塞，以缩小所述填充插塞的线宽；f)在所述前端器件结构的表面上未被刻蚀后的填充插塞覆盖的区域形成绝缘层，所述绝缘层的上表面低于所述刻蚀后的填充插塞的上表面，或者与所述刻蚀后的填充插塞的上表面齐平；g)去除所述刻蚀后的填充插塞，以形成第二开口；h)在所述绝缘层上形成第二介电层和相变层，其中，所述第二介电层包围所述相变层的四周，所述相变层位于所述底部电极的正上方，并填充所述第二开口；i)在所述第二介电层和所述相变层上形成第三介电层和顶部电极，其中，所述第三介电层包围所述顶部电极的四周，所述顶部电极位于所述相变层上对准所述底部电极的位置。