[发明专利]一种运行稳定可靠的大电流低压降单向导电电路

摘要

一种运行稳定可靠的大电流低压降单向导电电路，用于提高整流器件性能。它由内部带有寄生二极管的MOSFET、达林顿三极管和电阻组成，第一达林顿三极管的发射极经第一电阻接MOSFET的源极，第一达林顿三极管的集电极接MOSFET的栅极；第二达林顿三极管的集电极接MOSFET的漏极，第一达林顿三极管的基极、第二达林顿三极管的基极与第二达林顿三极管的发射极先短接在一起，再通过第二电阻接驱动电源正极，所述MOSFET的栅极经第三电阻接驱动电源正极。同传统控制电路相比，本发明以两个达林顿三极管取代了四个运算放大器，不仅具有结构简单，成本低廉的优点，而且反应速度快，反应时间为纳秒级，无反灌电流的现象，工作稳定可靠。

主权项

一种运行稳定可靠的大电流低压降单向导电电路，其特征是，它由内部带有寄生二极管的MOSFET(V1)、两个达林顿三极管和电阻组成，其中，第一达林顿三极管(Q1)的发射极经第一电阻(R1)接MOSFET(V1)的源极，第一达林顿三极管(Q1)的集电极接MOSFET(V1)的栅极；第二达林顿三极管(Q2)的集电极接MOSFET(V1)的漏极，第一达林顿三极管(Q1)的基极、第二达林顿三极管(Q2)的基极与第二达林顿三极管(Q2)的发射极均通过第二电阻(R2)接驱动电源正极，所述MOSFET(V1)的栅极经第三电阻(R3)接驱动电源正极。