[发明专利]沟槽式MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201010288639.6 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102088035A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 顾建平;纪刚;倪凯彬;钟添宾 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 201100 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明另提出一种沟槽式MOSFET及其制造方法，其沟槽式MOSFET的制造方法包括以下步骤：（1）设置重掺杂衬底。（2）在重掺杂衬底上形成轻掺杂外延层。（3）在轻掺杂外延层上形成轻掺杂阱区。（4）形成穿过轻掺杂阱区，并与轻掺杂外延层接触的多个栅极沟槽。（5）在轻掺杂阱区上部，以及栅极沟槽之间形成重掺杂源区。（6）在每个栅极沟槽两侧形成侧墙。（7）通过侧墙自对准形成顶部开口大于底部开口的源极接触孔。本发明可以进一步提高MOSFET的晶胞密度，更方便地对源极接触孔的刻蚀以及有利于源极接触孔的金属填充。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式MOSFET，包括由重掺杂衬底、轻掺杂外延层、轻掺杂阱区和重掺杂源区依次邻接而成的一半导体基板、以及在该半导体基板上形成的多个栅极沟槽和多个源极接触孔，且一个源极接触孔设置在相邻的两个栅极沟槽之间，其特征在于，在每个源极接触孔上端开口的两侧均设置有有斜度的侧墙，并使该源极接触孔的顶部开口大于底部开口。
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