[发明专利]用于探测气体的探测装置和方法有效

专利信息
申请号: 201010289181.6 申请日: 2010-09-20
公开(公告)号: CN102023178A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: R·菲克斯;D·孔茨;A·马丁 申请(专利权)人: 罗伯特.博世有限公司
主分类号: G01N27/02 分类号: G01N27/02;G01N27/22
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李永波
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及用于探测气体的探测装置和方法。探测装置用于在其工作温度范围内探测气体。探测装置具有导电的纳米结构的金属电极(106),其被构造成在与气体相互作用时将该探测装置的可变的电气特性调节到可与该气体相配的电气特性。此外,探测装置具有由金属或半导体材料制成的背电极(102),其中半导体材料被如此构造,以使得其在工作温度范围内在本征导电状态中,或者半导体材料被高掺杂至其不会贫化。此外探测装置具有布置在金属电极与背电极之间的至少一个电介质薄层(104)。此外探测装置具有金属电极的触点和背电极的触点,它们能够触点接通以确定可与该气体相配的电气特性,从而能够通过该可相配的电气特性来探测该气体。
搜索关键词: 用于 探测 气体 装置 方法
【主权项】:
一种探测装置,其用于在所述探测装置的工作温度范围内探测气体,所述探测装置具有以下特征:导电的金属电极(106),其被构造成在与所述气体相互作用时将所述探测装置的可变的电气特性调节到可与所述气体相配的电气特性;由金属或半导体材料制成的背电极(102),其中所述半导体材料被如此构造,以使得其在所述工作温度范围内在本征导电状态中,或者所述半导体材料被高掺杂至其不会贫化;至少一个电介质薄层(104),其布置在所述金属电极与所述背电极之间;以及所述金属电极的触点和所述背电极的触点(208),所述触点能够触点接通以确定可与所述气体相配的电气特性,从而能够通过所述可相配的电气特性来探测所述气体。
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