[发明专利]一种制造存储器元件的方法有效
| 申请号： | 201010289274.9 | 申请日： | 2008-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102013456A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造存储器元件的方法。钨氧化合物存储部是使用非关键掩膜氧化钨材料形成，或者在部分实施例中不需要任何掩膜亦可形成。在此揭露的存储器装置包括一底电极及一存储器元件，且存储器元件位于底电极上。存储器元件包括至少一钨氧化合物且至少可编程为至少二种电阻状态。上电极包括一阻隔材料，位于存储器元件上，且此阻隔材料是用以避免金属离子从上电极移动到存储器中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 存储器 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造存储器元件的方法，其特征在于，包括：提供一次元件，其中该次元件包括一存储单元区以及一外围区，该存储单元区包括具有一第一掺杂区的一存取装置及一第一钨元件，且该第一钨元件与该存取装置的该第一掺杂区耦接，该外围区包括具有一第二掺杂区的一逻辑装置以及一第二钨元件，且该第二钨元件与该逻辑装置的该第二掺杂区耦接，该第一钨元件及该第二钨元件延伸至该次元件的一上表面上；形成一掩膜于该次元件的该上表面上；氧化该第一钨元件的一部分，以形成一存储器元件，该存储器元件包括至少一钨氧化物且可编程为至少二种电阻状态；以及形成一上电极，其中该上电极包括位于该存储器元件上的一阻隔材料，且该阻隔材料是用以避免金属离子从该上电极移动至该存储器元件中。
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