[发明专利]一种化学机械抛光自动化试生产方法和装置有效
申请号: | 201010289464.0 | 申请日: | 2010-09-21 |
公开(公告)号: | CN102412135A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 刘毅;翟剑;陶克;杨建忠 | 申请(专利权)人: | 和舰科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 215025 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种化学机械抛光自动化试生产方法和装置,方法包括:步骤1:从整批晶片中分出一个晶片,整批晶片定义为母批,分出的一个晶片定义为子批;步骤2:以预定义的子批研磨厚度研磨子批;步骤3:获取当前晶片研磨后的当前厚度值,并将其与目标厚度值比较;步骤4:判断当前厚度值和目标厚度值之差是否小于预定值,是,计算第一重工研磨厚度,以该研磨厚度对当前晶片进行一次研磨,转步骤5;否,计算第二重工研磨厚度,以该研磨厚度继续研磨当前晶片,返步骤3;步骤5:利用子批的研磨数据计算母批的研磨厚度,以该研磨厚度对剩余晶片进行研磨;步骤6:结束。本发明简化了试生产过程,避免了过研磨情况的发生,实现了自动化试生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 自动化 试生产 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种化学机械抛光自动化试生产方法,其特征在于,包括:步骤1:从整批晶片中分出一个晶片,所述整批晶片定义为母批,所分出的一个晶片定义为子批;步骤2:晶片加工机台以预定义的子批研磨厚度研磨所述子批;步骤3:获取当前晶片研磨后的当前厚度值,并将该当前厚度值与目标厚度值进行比较;步骤4:判断所述当前厚度值和目标厚度值之差是否小于预定值,如果是,则计算第一重工研磨厚度,并以该第一重工研磨厚度对当前晶片进行一次研磨,转至步骤5;如果否,则计算第二重工研磨厚度,并以该第二重工研磨厚度继续研磨当前晶片,返回步骤3;步骤5:利用子批的研磨数据计算所述母批中剩余晶片的研磨厚度,并以该计算出的研磨厚度对剩余晶片进行研磨;步骤6:结束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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