[发明专利]磁体组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010289866.0 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102403081A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 武安波;赵燕;杨潮;伊万格拉斯·T·拉斯卡里斯;黄先锐 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01F6/00 | 分类号： | H01F6/00;H01F6/06;H01F41/02;G01R33/3815 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超导磁体组件及其制造方法。该超导磁体组件包括用来产生静磁场的超导磁体、用来屏蔽所述超导磁体的铁轭及用来产生梯度磁场的磁性梯度线圈组件。该超导磁体组件进一步包括一个或多个磁性层状元件，其设置于所述铁轭上用来减少所述梯度磁场在所述铁轭上感应的电窝流。此外，本发明还涉及一种用来制造所述超导磁体组件方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超导磁体组件，包括：超导磁体，其用来产生静磁场；铁轭，其用来屏蔽所述超导磁体；磁性梯度线圈组件，其用来产生梯度磁场；及一个或多个磁性层状元件，其设置于所述铁轭上用来减少所述梯度磁场在所述铁轭上感应的电窝流。
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