[发明专利]一种掺杂纳米SiO2的改性双极膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010290377.7 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101949032A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈震;陈日耀;陈晓;郑曦 | 申请（专利权）人： | 福建师范大学 |
| 主分类号： | C25B13/00 | 分类号： | C25B13/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;吴钦缘 |
| 地址： | 350007 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺杂纳米SiO2的改性双极膜的制备方法。其特征是将纳米SiO2通过超声波震荡，使之均匀分散于有机溶剂中，加入到壳聚糖为主成份的阴膜液中，或羧甲基纤维素为主成份的阳膜液中，然后再采用通常的方法制成以纳米SiO2改性中间界面层的双极膜。将纳米SiO2加入到壳聚糖(CS)为主成份的阴膜液中时，纳米SiO2∶CS的质量分数比为1∶1～100。将纳米SiO2加入到羧甲纤维素(CMC)为主成份的阳膜液中时，纳米SiO2∶CMC的质量分数比为1∶1～100。本发明制备的纳米二氧化硅改性的双极膜具有高的中间界面层水解离效率，小的膜阻抗和槽电压以及良好的热稳定性和机械性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 纳米 sio sub 改性 双极膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂纳米SiO2的改性双极膜的制备方法，包括阳离子交换膜层、阴离子交换膜层及两膜层之间的中间界面层，其特征是将纳米SiO2通过超声波震荡，使之均匀分散于有机溶剂中，再加入到壳聚糖(CS)为主成份的阴膜液中，或羧甲基纤维素(CMC)为主成份的阳膜液中，然后再采用通常的方法制成经纳米SiO2改性的双极膜。
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