[发明专利]一种TFT有源矩阵的新型制造方法

摘要

本发明公开一种TFT有源矩阵的新型制造方法。本方法采用半导体硅加工工艺与微机械加工工艺的方法实现TFT有源矩阵的制作，使TFT有源矩阵的制造工艺与半导体制造工艺相兼容。区别于传统的TFT有源矩阵必须制作在TFT玻璃之上的方法，本发明所制作的TFT有源矩阵首先制作在单晶硅晶圆上，制作完成且经过剥离工艺后，将TFT有源矩阵转移装配到玻璃基板上；本发明的制造方法选用的玻璃基板为普通玻璃基板，而非昂贵的TFT玻璃基板，并且TFT有源矩阵剥离之后的单晶硅晶圆可循环利用，大幅降低了TFT有源矩阵的制造成本。同时半导体工艺技术十分成熟，制作出的TFT器件性能非常稳定，不易出现性能衰退，生产成品率大幅提高。

主权项

一种TFT有源矩阵的新型制造方法，其特征在于，采用半导体硅加工工艺及微机械加工工艺的方法实现TFT有源矩阵的制作，使TFT有源矩阵的制造与半导体制造工艺、微机械加工工艺相兼容；其工艺步骤如下：1)首先采用半导体工艺在单晶硅晶圆(10)上制作TFT有源矩阵层，2)制作完成之后涂布抗蚀层(80)，3)再采用微机械加工工艺的方法将TFT有源矩阵层与单晶硅晶圆(10)剥离开；4)TFT有源矩阵层经划片之后形成单颗TFT器件，5)将单颗TFT器件转移装配到玻璃基板(90)之上，形成TFT有源矩阵。