[发明专利]适用于普通CMOS工艺的电荷传输电路及电荷传输控制开关有效
申请号: | 201010291245.6 | 申请日: | 2010-09-21 |
公开(公告)号: | CN101977056A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 陈珍海;季惠才;黄嵩人;吴俊;于宗光 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | H03M1/12 | 分类号: | H03M1/12 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214035 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种适用于普通CMOS工艺的高精度电荷加减传输电路及其电荷传输控制开关,所述电荷加减传输电路包括一个电荷传输开关、第一电荷存储节点和连接到第一电荷存储节点的第一电荷存储电容、第二电荷存储节点和连接到第二电荷存储节点的第二和第三电荷存储电容连接。该电荷加减传输电路能实现精确的电荷加减操作并能够精确控制所传输的电荷量大小,可以广泛应用于电荷耦合流水线模数转换器中各级电荷耦合子级流水电路中。 | ||
搜索关键词: | 适用于 普通 cmos 工艺 电荷 传输 电路 控制 开关 | ||
【主权项】:
一种电荷传输控制开关,其特征是:包括一个NMOS开关管和一个电压比较器电路;所述电压比较器电路的第一输入端连接第一电荷存储节点、第二输入端连接第二电荷存储节点、第三输入端连接基准电压信号,电压比较器电路的控制端连接电荷传输控制信号,电压比较器电路的输出端连接到NMOS开关管的栅极;所述电压比较器的输入端对第一电荷存储节点和第二电荷存储节点的电压差变化量进行检测,并将所述电压差变化量和基准电压信号进行比较,比较结果用于控制NMOS开关管的开和关。
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