[发明专利]III族氮化物半导体器件及其制造方法以及功率转换器有效
| 申请号： | 201010291598.6 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102034860A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 冈彻 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种表现出常关断特性和低接通状态电阻的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一载流子输运层；由未掺杂的GaN形成并且被提供在第一载流子输运层的两个分离的区域上的两个分离的第二载流子输运层；以及由AlGaN形成并且分别提供在所述两个分离的第二载流子输运层上的载流子供给层。第二载流子输运层和载流子供给层分别通过晶体生长而形成在第一载流子输运层上。第二载流子输运层与载流子供给层之间的异质结界面表现出高平坦度，并且在异质结界面附近几乎不引入生长相关杂质。因此，防止了2DEG的迁移率的降低并且减小了接通状态电阻。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 以及 功率 转换器 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一载流子输运层，其由III族氮化物半导体形成；第二载流子输运层，其通过III族氮化物半导体的选择性再生长而形成，并且被提供在所述第一载流子输运层的一区域上；以及载流子供给层，其通过具有比所述第二载流子输运层的所述III族氮化物半导体的带隙大的带隙的III族氮化物半导体的选择性生长而形成，所述载流子供给层被提供在所述第二载流子输运层上。
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