[发明专利]锗硅异质结双极晶体管

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，形成于硅衬底上，有源区由场氧区隔离，其集电区形成于有源区中并延伸进入有源区两侧的场氧区底部；一赝埋层形成于有源区两侧的场氧区底部并和有源区边缘相隔一横向距离，赝埋层和集电区的横向延伸部分相接触。通过在赝埋层顶部的场氧区中形成的第一深孔接触引出集电极。在集电区的横向延伸部分顶部的场氧区中形成有多个悬空的第二深孔接触，在第二深孔接触底部形成有N型注入区。本发明能提高器件的击穿电压，还能降低器件电流通路和电阻、减小器件的饱和压降。

主权项

一种锗硅异质结双极晶体管，形成于P型硅衬底上，有源区由场氧区隔离，其特征在于，所述锗硅异质结双极晶体管包括：一集电区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述场氧区底部的深度、且所述集电区横向延伸进入所述有源区两侧的场氧区底部；一赝埋层，由形成于所述有源区两侧的场氧区底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层在横向位置上和所述有源区相隔一横向距离、且所述赝埋层和所述集电区的横向延伸进入所述场氧区底部的部分相接触，通过调节所述赝埋层和所述有源区的横向距离调节所述锗硅异质结双极晶体管的击穿电压；第一深孔接触，形成于所述赝埋层顶部的所述场氧区中并和所述赝埋层相连接，所述深孔接触和上层金属相连引出集电极；多个第二深孔接触，形成于所述集电区的横向延伸部分顶部的所述场氧区中并和所述集电区的横向延伸部分相连接，在所述第二深孔接触和所述集电区的横向延伸部分的接触位置处形成有N型注入区，所述N型注入区的掺杂浓度满足和所述第二深孔接触的金属形成欧姆接触的条件；所述第二深孔接触顶部不和上层金属连接，为一浮空结构；所述第二深孔接触的个数为1个以上；一基区，由形成于所述硅衬底上的P型锗硅外延层组成，包括一本征基区和一外基区，所述本征基区形成于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区形成于所述场氧区上部且用于形成基区电极；一发射区，由形成于所述本征基区上部的N型多晶硅组成，和所述本征基区形成接触。