[发明专利]基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及其制作方法。其结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的绝缘缓冲层；位于绝缘缓冲层上的多条字线；电连接于字线的多个ZnO肖特基二极管，分别位于每个ZnO肖特基二极管之上的第二导体层；分别位于每个第二导体层之上的相变存储层；电连接于相变存储层的多条位线，其中的ZnO肖特基二极管由第一导体层和n型ZnO多晶态薄膜组成。本发明采用由n型ZnO多晶态薄膜和金属层形成的ZnO肖特基二极管作为选通元件，使相变存储器具有更高的密度，更低的功耗和更高的性能，其制备方法采用原子层沉积n型ZnO多晶态薄膜的低温工艺，在成本上具有竞争力，更有望在三维堆栈相变存储器中得到广泛应用。

主权项

一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的绝缘缓冲层；位于所述绝缘缓冲层之上的多条相互平行的第二导电类型的字线；位于所述字线之上，电连接于所述字线的多个ZnO肖特基二极管，所述ZnO肖特基二极管由第一导体层和与之相连的n型ZnO多晶态薄膜组成；分别位于每个所述ZnO肖特基二极管之上的第二导体层；分别位于每个第二导体层之上的相变存储层；位于所述相变存储层之上，电连接于所述相变存储层的多条位线，所述位线空间垂直于所述字线。