[发明专利]形成电阻布局图形的方法有效
| 申请号： | 201010292473.5 | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102412116A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 程洁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成电阻布局图形的方法，包括提供初始布局图形的步骤，所述初始布局图形至少包括电阻图形和至少一种应力膜图形，还包括下述步骤：根据目标电阻值、利用所述初始布局图形得到的电阻的阻值以及所述获取的多个组合布局图形与利用所述组合布局图形得到的电阻的方块电阻变化率的对应关系选择对应的组合布局图形；调整所述初始布局图形的应力膜图形，以使调整后的布局图形与所述选择的组合布局图形的应力膜图形对所述电阻图形的覆盖与否情形相同，提高了电阻的可调节性。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电阻 布局 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电阻布局图形的方法，包括提供初始布局图形的步骤，所述初始布局图形至少包括电阻图形和至少一种应力膜图形，其特征在于，还包括下述步骤：确定所述电阻图形对应的电阻种类和所述应力膜图形对应的应力膜种类；获取对应于所述确定的电阻种类和应力膜种类的多个组合布局图形与利用所述组合布局图形得到的电阻的方块电阻变化率的对应关系，其中，不同的组合布局图形包含各种应力膜图形对所述电阻图形的覆盖与否情形的不同组合，所述方块电阻变化率是指利用所述组合布局图形得到的电阻的方块电阻相对于利用所述初始布局图形得到的电阻的方块电阻的变化率；根据目标电阻值、利用所述初始布局图形得到的电阻的阻值以及所述获取的多个组合布局图形与利用所述组合布局图形得到的电阻的方块电阻变化率的对应关系选择对应的组合布局图形；调整所述初始布局图形的应力膜图形，以使调整后的布局图形与所述选择的组合布局图形的应力膜图形对所述电阻图形的覆盖与否情形相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
