[发明专利]基准电压电路有效
| 申请号： | 201010292713.1 | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102033564A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 吉野英生;井村多加志 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基准电压电路，其基准电压的温度特性良好且电路规模小。该基准电压电路不利用与基准电压电路分开的另外的温度校正电路等，而将两个E型NMOS晶体管14～15的阈值电压的差分电压与D型NMOS晶体管的阈值电压相加来生成基准电压Vref，由此，基准电压Vref的温度特性的恶化原因即D型NMOS晶体管对基准电压Vref的影响变小，能够抑制基准电压Vref相对于温度的斜率的变化和弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 电路 | ||
【主权项】：
一种基准电压电路，其特征在于，该基准电压电路具有：第一耗尽型NMOS晶体管，其栅极与第二耗尽型NMOS晶体管的栅极以及第一端子连接，其漏极与电源端子连接；所述第二耗尽型NMOS晶体管，其源极与第二端子连接，其漏极与电源端子连接；第一NMOS晶体管，其漏极与所述第一端子连接，其源极与接地端子连接；第二NMOS晶体管，其栅极与漏极、所述第一NMOS晶体管的栅极以及所述第二端子连接，其源极与基准电压输出端子连接，所述第二NMOS晶体管具有比所述第一NMOS晶体管的阈值电压低的阈值电压；以及电压产生电路，其具有第三耗尽型NMOS晶体管，在所述基准电压输出端子与接地端子之间产生基准电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工电子有限公司，未经精工电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010292713.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种煤矿用交联聚乙烯绝缘电力电缆
- 下一篇：一种耐高温变频电缆
