[发明专利]一种深紫外线LED用单基质白光荧光粉及其制备方法有效
| 申请号： | 201010292829.5 | 申请日： | 2010-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102002363A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 何毓阳;宋衍滟;赵麦群;李峰;赵高扬;高飞山;张子富 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/83 | 分类号： | C09K11/83 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深紫外线LED用白光荧光粉，其化学式为AnxBxRE1-x-yPzV1-zO4:Dy3+y，其中RE为稀土离子Y3+，La3+，Gd3+，Lu3+；A为碱金属离子Li+，Na+，K+；B为过渡金属离子Zn2+，Cd2+；0≤n≤4，0≤x≤0.4，0≤y≤0.3，0≤z≤1。采用化学共沉淀法将含有相应阴、阳离子的原料溶解成溶液，混合后产生的沉淀物经洗涤、干燥、煅烧；或采用固相反应法将原料混合充分研磨后煅烧即得与基质(RE(P，V)O4)晶体结构相同的单相荧光粉。通过碱金属与过渡金属离子的协同敏化作用提高了发光强度，在250～350nm范围内形成宽的强激发带。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 外线 led 基质 白光 荧光粉 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种深紫外线LED用单基质白光荧光粉，其特征在于：具有如下的化学组成表达式AnxBxRE1‑x‑yPzV1‑zO4:Dy3+y；其中，A为碱金属离子，选自Li+，Na+或K+中的一种；B为过渡金属离子，选自Zn2+或Cd2+；RE为稀土离子，选自Y3+，La3+，Gd3+或Lu3+中的一种；x，y，z为相应掺杂元素相对于RE所占的摩尔百分比系数，0≤n≤4，0≤x≤0.4，0≤y≤0.3，0≤z≤1。
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