[发明专利]一种LiGa3Te5单晶体及其制备方法和应用

摘要

本发明提供一种LiGa3Te5单晶体，该晶体是非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为R32，晶胞参数为：α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝12，单胞体积为其体块直径为3mm～15mm、长度为20mm～40mm。该LiGa3Te5单晶体的制备方法是首先制备LiGa3Te5多晶原料，再利用坩埚下降法进行LiGa3Te5单晶体的生长。本发明制备的LiGa3Te5单晶体可供晶体物理性能测试与器件研究，并具有足够尺寸体块；具有较宽的红外透过范围，能够通过非线性频率变换技术实现中远红外激光输出，因而可应用于制作红外非线性光学器件；同时可用于制作压电器件。

主权项

1.一种LiGa₃Te₅单晶体，该晶体是非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为R32，其特征在于：晶胞参数为：α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝12，单胞体积为其体块直径为3mm～15mm、长度为20mm～40mm。