[发明专利]导电的IIIA族氮化物晶体的制造方法,导电的IIIA族氮化物衬底的制造方法及导电的IIIA族氮化物衬底有效
| 申请号： | 201010293721.8 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102134742A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 吉田丈洋 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有足够的导电率并且能够在短时间内生长的IIIA族氮化物晶体，用IIIA族卤化物气体和NH3气通过气相沉积以大于450μm/小时且2mm/小时以下的生长速率在基板上生长IIIA族氮化物晶体，其中用GeCl4作为掺杂源将Ge掺杂到IIIA族氮化物晶体中，使IIIA族氮化物晶体的电阻率为1×10-3Ω·cm以上且1×10-2Ω·cm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 iiia 氮化物 晶体 制造 方法 衬底 | ||
【主权项】：
一种导电的IIIA族氮化物晶体的制造方法，用IIIA族卤化物气体和NH3气通过气相沉积以大于450μm/小时且2mm/小时以下的生长速率在基板上生长IIIA族氮化物晶体，其中用GeCl4作为掺杂源将Ge掺杂到IIIA族氮化物晶体中，使IIIA族氮化物晶体的电阻率为1×10‑3Ω·cm以上且1×10‑2Ω·cm以下。
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