[发明专利]连续模块化设计PECVD腔体无效
申请号: | 201010294000.9 | 申请日: | 2010-09-27 |
公开(公告)号: | CN102418088A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 张忠卫;唐健敏;夏世伟 | 申请(专利权)人: | 上海太阳能科技有限公司;上海欣邦电气有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 杨元焱 |
地址: | 201108 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种连续模块化设计PECVD腔体,它包括顺序相连的进片室、工艺室和出片室,其中的工艺室的构成包括加热腔、表面处理腔、两个光退火腔、两个镀膜腔和缓冲腔。上述进片室、出片室以及构成工艺室的各腔都具有标准化接口;PECVD腔体中的工艺室至少由加热腔、一个镀膜腔和缓冲腔顺序连接构成。本发明的连续模块化设计PECVD腔体实现了腔体功能的独立化、腔体连接的标准化和程序控制的网络化。可由具有相应功能的独立的腔体,通过腔体间的标准化连接实现功能的增加或减少。 | ||
搜索关键词: | 连续 模块化 设计 pecvd 腔体 | ||
【主权项】:
一种连续模块化设计PECVD腔体,包括顺序相连的进片室、工艺室和出片室,其特征在于:所述的工艺室的构成包括加热腔、表面处理腔、两个光退火腔、两个镀膜腔和缓冲腔;所述的进片室、出片室以及构成工艺室的各腔都具有标准化接口;所述的PECVD腔体中的工艺室至少由加热腔、一个镀膜腔和缓冲腔顺序连接构成。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的