[发明专利]在钛或钛合金材料表面原位生长二氧化钛薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010294772.2 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101935819A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张延宗;熊晓燕;韩月;邓仕槐;贺佳;杨刚;沈飞;张小洪;李黎;王应军;肖鸿;李远伟;彭宏 | 申请（专利权）人： | 四川农业大学 |
| 主分类号： | C23C8/36 | 分类号： | C23C8/36;B01J21/06;B01J37/34;A62D3/10;A62D3/19;A62D101/28 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 曹晋玲;吴彦峰 |
| 地址： | 611130 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及钛及钛合金材料表面改性领域，为解决现有技术方法中电能消耗大，制备过程易受电解质的影响等问题，本发明提供一种在钛或钛合金材料表面制备原位生长二氧化钛薄膜的方法：将经过预处理的钛或钛合金材料放入高压脉冲放电反应器中，用钛或钛合金材料作为高压电极的阳极，用多针并联，或不锈钢板，或另一块经过预处理的钛或钛合金材料作为阴极，通入氧气，接通高压脉冲电源，施加高压脉冲，控制由高压脉冲放电产生的氧等离子体的氧化时间，得到在钛或钛合金材料表面原位生长的二氧化钛薄膜。本发明操作简单、节能，且不受电解质影响，应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 钛合金 材料 表面 原位 生长 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种在钛或钛合金材料表面原位生长二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）钛或钛合金材料的预处理；（2）将经过预处理的钛或钛合金材料放入高压脉冲放电反应器中，用钛或钛合金材料作为高压电极的阳极，用多针并联，或不锈钢板，或另一块经过预处理的钛或钛合金材料作为阴极；（3）调节电极间距，通入氧气；（4）接通高压脉冲电源，其中用钛或钛合金材料作为阳极，用多针并联，或不锈钢板做阴极的，则在钛或钛合金材料表面施加正高压脉冲；同时用钛或钛合金材料作为阳极和阴极的，则在两块钛或钛合金材料表面分别施加正负高压脉冲；（5）控制由高压脉冲放电产生的氧等离子体的氧化时间；即得到在钛或钛合金表面原位生长的二氧化钛薄膜。
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