[发明专利]一种浅结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种浅结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述浅结太阳能电池包括金属栅电极、钝化层、晶硅和金属背电极；金属背电极位于晶硅的背面，钝化层位于晶硅的上面，金属栅电极位于钝化层的上面，晶硅包括有PN结，PN结的深度为10纳米到200纳米。所述制备方法包括：对晶硅进行预处理；利用等离子体浸没离子注入工艺，在晶硅上制备PN结，并对PN结进行钝化处理，形成钝化层；分别在晶硅的背面和钝化层上制备金属背电极和金属栅电极。本发明提供的浅结太阳能电池，能够缩短载流子的传输路径，使光电转换效率提高，并且制备方法简单可控。

主权项

一种浅结太阳能电池，其特征在于：所述浅结太阳能电池包括金属栅电极、钝化层、晶硅和金属背电极；所述金属背电极位于所述晶硅的背面，所述钝化层位于所述晶硅的上面，所述金属栅电极位于所述钝化层的上面，所述晶硅包括有PN结，所述PN结的深度为10纳米到200纳米。