[发明专利]抗辐射EEPROM存储阵列结构有效
| 申请号： | 201010295040.5 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101982882A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 王晓玲;封晴;田海燕;赵桂林;李珂;肖培磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214037 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种抗辐射EEPROM存储单元阵列结构。该设计解决了由辐射所产生的总剂量效应（TID）对EEPROM存储阵列中相邻存储单元之间场区漏电的影响。本发明由以下部分组成：1）利用HVNMOS技术，对相邻的EEPROM存储单元进行隔离。2）用于隔离的管子栅接-2V的电压。该阵列设计抗总剂量能力达到300kRad（Si）以上，隔离后相邻单元之间不存在漏电流通路。在抗辐射加固的同时，没有影响到存储单元阵列本身的存储性能。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 eeprom 存储 阵列 结构 | ||
【主权项】：
一种抗辐射EEPROM存储阵列结构，其特征在于：利用多晶硅将EEPROM存储单元包围在中间，所述多晶硅与相邻各个存储单元的有源区形成HVNMOS管的隔离结构，使存储阵列中的每个存储单元与其上下左右四个存储单元隔开；用于隔离的HVNMOS隔离管栅端接‑1V到‑3V的电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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