[发明专利]半导体装置和检测半导体装置的特性退化的方法无效
| 申请号： | 201010295658.1 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102035529A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 深海郁夫 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/007 | 分类号： | H03K19/007 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置和检测半导体装置的特性退化的方法。半导体装置(IPD)包括：设定值存储单元，该设定值存储单元存储基于半导体装置的初始特性值确定的设定值；和检测器，该检测器基于规定时刻的半导体装置的特性值和存储在设定值存储单元中的设定值来检测半导体装置的特性退化。此外，检测半导体装置(IPD)的特性退化的方法包括：存储基于半导体装置的初始特性值确定的设定值；并且基于规定时刻的半导体装置的特性值和存储的设定值来检测半导体装置的特性退化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 检测 特性 退化 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：设定值存储单元，所述设定值存储单元存储基于半导体装置的初始特性值确定的设定值；和检测器，所述检测器基于规定时刻的所述半导体装置的特性值和存储在所述设定值存储单元中的设定值来检测所述半导体装置的特性退化。
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